Máquina CVD
Sistema de Máquina MPCVD com Ressonador Cilíndrico para Deposição Química de Vapor de Plasma por Micro-ondas e Cultivo de Diamante para Laboratório
Número do item: TU-CVD06
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Visão Geral do Produto


Este sistema de deposição química de vapor por plasma por micro-ondas (MPCVD) de alto desempenho é uma solução premium para a síntese de filmes de diamante e diamantes de cristal único de alta qualidade. Ao utilizar uma câmara de vácuo sofisticada e um gerador de micro-ondas de alta potência, o equipamento facilita a decomposição de gases precursores em um estado de plasma reativo. Este processo permite a deposição precisa de átomos de carbono em substratos, possibilitando o crescimento de materiais com dureza, condutividade térmica e clareza óptica excepcionais. O sistema é projetado para fornecer um ambiente estável e sem eletrodos, que é essencial para manter os níveis extremos de pureza exigidos na ciência de materiais avançada.
Atendendo principalmente às indústrias de semicondutores, óptica e gemas, este reator é projetado para atender às rigorosas demandas tanto da produção industrial quanto de P&D de alto nível. Se o objetivo é produzir substratos de diamante de grande área para eletrônica de potência ou diamantes brutos de alta clareza para o mercado de joalheria, o equipamento entrega resultados consistentes. Sua capacidade de cultivar estruturas monocristalinas e policristalinas o torna um ativo versátil para laboratórios que focam em soluções de gerenciamento térmico de próxima geração e fabricação de ferramentas de corte de alta precisão.
Construído para excelência operacional de longo prazo, este sistema tem um histórico comprovado de mais de 40.000 horas de desempenho estável em ambientes industriais exigentes. A construção robusta em aço inoxidável 304, combinada com uma arquitetura avançada de resfriamento a água, garante estabilidade térmica mesmo durante descargas de micro-ondas de alta potência. A confiabilidade está no centro do seu design, oferecendo aos pesquisadores e fabricantes a repetibilidade necessária para escalar processos de deposição complexos sem comprometer a qualidade do cristal ou a integridade estrutural.
Características Principais
- Gerador de Micro-ondas Ajustável de Alta Potência: O sistema conta com saída de micro-ondas continuamente ajustável de 1-10 kW a 2450 MHz, fornecendo a densidade de energia necessária para o crescimento rápido de diamantes, mantendo uma estabilidade inferior a ±1%.
- Cavidade Ressonante Cilíndrica Avançada: Utilizando os modos TM021 ou TM023, o design do ressonador cilíndrico otimiza a distribuição do campo de micro-ondas para formar uma bola de plasma estável e flutuante que evita o contato com as paredes da câmara para evitar contaminação.
- Capacidade de Crescimento de Grande Área: A unidade suporta uma área de crescimento de substrato de 3 polegadas, permitindo uma carga máxima de lote de até 45 diamantes individuais, o que aumenta significativamente a produtividade para operações comerciais.
- Geração de Plasma Sem Eletrodos: Ao contrário de outros métodos de deposição, esta abordagem baseada em micro-ondas elimina fios quentes e eletrodos, garantindo que o ambiente de crescimento esteja livre de impurezas metálicas e produtos de degradação de filamentos.
- Fornecimento e Controle Precisos de Gás: Equipado com um sistema de controlador de fluxo de massa (MFC) de 5 canais para H2, CH4, O2, N2 e Ar, o equipamento permite um controle estequiométrico exato dos gases reagentes para ajustar as propriedades do cristal.
- Automação Integrada PLC Siemens: Um PLC Siemens Smart 200 e uma interface intuitiva de tela sensível ao toque fornecem controle completo sobre a temperatura de crescimento, ciclos de pressão e sequências automáticas de aumento/diminuição de potência.
- Integridade de Vácuo Superior: A câmara de reação atinge uma taxa de vazamento a vácuo inferior a 5 × 10⁻⁹ Pa·m³/s, utilizando uma combinação de anéis C metálicos e vedações de borracha para manter as condições impecáveis necessárias para a síntese de alta pureza.
- Gerenciamento Térmico Abrangente: Um sistema de resfriamento a água multilinha monitora temperatura e fluxo em tempo real, dissipando efetivamente o calor excessivo para proteger as janelas de quartzo e as vedações da câmara durante a operação prolongada a 10 kW.
- Monitoramento de Processo em Tempo Real: Contando com um termômetro infravermelho externo com faixa de 300-1400 °C e oito portas de observação dedicadas, o sistema permite o monitoramento preciso da temperatura do substrato e da estabilidade do plasma.
Aplicações
| Aplicação | Descrição | Benefício Principal |
|---|---|---|
| Síntese de Gemas | Produção de diamantes brutos monocristalinos de grande tamanho e alta clareza para a indústria joalheira. | Pureza e controle de cor superiores em comparação com métodos HPHT. |
| Substratos Semicondutores | Crescimento de wafers de diamante de grande área usados como dissipadores de calor ou camadas ativas em eletrônica de alta potência. | Condutividade térmica extrema e alta tensão de ruptura elétrica. |
| Janelas Ópticas | Fabricação de placas de diamante para janelas de laser de alta potência e equipamentos de espectroscopia infravermelha. | Transparência espectral ampla e durabilidade mecânica excepcional. |
| Ferramentas de Corte e Perfuração | Deposição de camadas de diamante policristalino (PCD) em componentes industriais de corte, retificação e perfuração. | Dureza e resistência ao desgaste máximas para tarefas de usinagem exigentes. |
| Pesquisa Quântica | Desenvolvimento de substratos de diamante com centros de vacância de nitrogênio (NV) específicos para computação quântica e sensoriamento. | Controle preciso sobre dopantes e níveis extremamente baixos de impurezas de fundo. |
| Gerenciamento Térmico | Criação de dissipadores de calor à base de diamante para matrizes de LED de alta densidade e módulos de comunicação aeroespaciais. | Dissipação de calor otimizada para estender a vida útil e o desempenho dos componentes. |
Especificações Técnicas
| Categoria | Parâmetro | Especificação (Número do Item: TU-CVD06) |
|---|---|---|
| Sistema de Micro-ondas | Frequência | 2450 ± 15 MHz |
| Potência de Saída | 1 – 10 KW (Continuamente Ajustável) | |
| Estabilidade de Potência | < ±1% | |
| Vazamento de Micro-ondas | ≤ 2 mW/cm² | |
| Interface de Guia de Onda | WR340, 430 com Flange Padrão FD-340, 430 | |
| Coeficiente de Onda Estacionária | VSWR ≤ 1,5 | |
| Fonte de Alimentação | 380VCA / 50Hz ± 10%, Trifásico | |
| Câmara de Reação | Taxa de Vazamento a Vácuo | < 5 × 10⁻⁹ Pa·m³/s |
| Pressão Limite | < 0,7 Pa (com medidor de vácuo Pirani) | |
| Manutenção de Pressão | Aumento ≤ 50 Pa após 12 horas | |
| Modos de Operação | TM021 ou TM023 | |
| Material e Estrutura | Aço Inoxidável 304 com camada intermediária resfriada a água | |
| Método de Vedação | Placa de quartzo de alta pureza; Anel C metálico e vedações CF/KF | |
| Modo de Entrada de Ar | Entrada de ar uniforme anular superior | |
| Portas de Observação | 8 Janelas para monitoramento de temperatura e visual | |
| Gerenciamento de Amostras | Diâmetro da Mesa | ≥ 72 mm (Área efetiva ≥ 66 mm) |
| Estrutura da Mesa | Arquitetura sanduíche resfriada a água | |
| Posicionamento | Elevação e abaixamento elétricos para posicionamento preciso do plasma | |
| Sistema de Fluxo de Gás | Canais de Gás | 5 Canais (H2, CH4, O2, N2, Ar) |
| Taxas de Fluxo MFC | H2: 1000 sccm; CH4: 100 sccm; O2/N2: 2 sccm; Ar: 10 sccm | |
| Tipos de Junta | Todas as juntas de soldagem metálica ou VCR | |
| Pressão de Trabalho | 0,05 – 0,3 MPa (Precisão ±2%) | |
| Resfriamento e Segurança | Taxa de Fluxo de Água | ≤ 50 L/min (Total do sistema); 6-12 L/min (Micro-ondas) |
| Monitoramento | Sensores de temperatura e fluxo em tempo real com intertravamento | |
| Controle de Segurança | Intertravamento funcional para água, energia e pressão | |
| Sistema de Controle | Arquitetura | PLC Siemens Smart 200 com Tela Sensível ao Toque |
| Funções | Auto-equilíbrio de temperatura de crescimento, controle de pressão, rampa automática | |
| Faixa de Temperatura | 300 – 1400 °C (Termômetro Infravermelho Externo) |
Por Que Escolher Este Produto
- Estabilidade Inigualável: Com um histórico comprovado de mais de 40.000 horas operacionais, este sistema fornece a confiabilidade de nível industrial necessária para ciclos contínuos de crescimento de diamante.
- Engenharia de Plasma Avançada: O design da cavidade ressonante cilíndrica garante que o plasma permaneça centrado e suspenso, eliminando o contato com a parede e garantindo a mais alta pureza do material depositado.
- Produção Escalonável: A grande área de crescimento de 3 polegadas e o sistema de micro-ondas de 10 kW de alta potência permitem o processamento em lote de alta produtividade, reduzindo significativamente o custo por quilate para produtores de diamantes gemológicos e industriais.
- Suporte Abrangente: Oferecemos um programa de suporte técnico "Zero Experiência", fornecendo receitas avançadas de cultivo de diamante e treinamento especializado para garantir que sua equipe alcance o sucesso imediato.
- Personalização Precisa: Nossa equipe de engenharia é especializada em adaptar configurações de hardware e software para atender a requisitos específicos de pesquisa, desde adições de canais de gás exclusivos até suportes de substrato personalizados.
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