Máquina CVD
Forno de Tubo CVD de Câmara Dividida com Estação de Vácuo Sistema de Máquina de Deposição Química de Vapor
Número do item: TU-CVD02
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Visão Geral do Produto

Este sistema de deposição química de vapor de câmara dividida de alto desempenho é projetado para síntese sofisticada de materiais e pesquisa de filmes finos em ambientes laboratoriais avançados. Ao integrar um forno de tubo de alta temperatura com um manifold de entrega de gás de controle de precisão e uma estação de vácuo robusta, o equipamento fornece uma solução abrangente para laboratórios que exigem controle exato sobre condições térmicas e atmosféricas. Sua arquitetura de quadro dividido é especificamente projetada para facilitar o acesso fácil aos tubos de reação e substratos, reduzindo significativamente o tempo de inatividade entre execuções experimentais, permitindo protocolos de resfriamento rápido essenciais para certas estruturas cristalinas de materiais.
Utilizado principalmente na fabricação de semicondutores, nanotecnologia e cerâmicas avançadas, este sistema suporta uma ampla gama de processos, incluindo crescimento de grafeno, síntese de nanotubos de carbono e vários revestimentos de filmes finos. O design versátil acomoda diversos precursores e gases de arraste, tornando-o uma ferramenta essencial para institutos de pesquisa e centros de P&D industrial focados em materiais eletrônicos e optoeletrônicos de próxima geração. Seja realizando recozimento de rotina ou sequências complexas de deposição química de vapor em múltiplos estágios, a unidade mantém um ambiente estável para garantir resultados reproduzíveis em cada lote, aderindo aos padrões industriais mais rigorosos.
Construído com componentes de grau industrial e foco na confiabilidade de longo prazo, este sistema de forno se destaca em ciclos de operação contínua exigentes. A combinação de isolamento de fibra de alumina de alta pureza e elementos de aquecimento enrolados com precisão garante eficiência térmica superior e uniformidade de temperatura. Os usuários podem confiar nos protocolos de segurança integrados, como proteção automática contra superaquecimento e detecção de falha de termopar, para proteger amostras sensíveis e manter a integridade operacional em ambientes laboratoriais de alto risco. Este equipamento representa um investimento premium para instalações que priorizam precisão, durabilidade e consistência operacional.
Características Principais
- Aprimoramento por Glow de Radiofrequência: Este sistema utiliza tecnologia opcional de glow por radiofrequência para aumentar significativamente a taxa de deposição do filme, atingindo até 10Å/S. Esta capacidade é crítica para produção de alto rendimento e prototipagem rápida em campos de pesquisa competitivos.
- Uniformidade Superior em Grande Área: Incorporando tecnologia avançada de alimentação RF multiponto e distribuição especializada do caminho do gás, o forno garante uniformidade do filme melhor que 8%. Este nível de consistência é vital para criar revestimentos de alta qualidade em substratos grandes.
- Mecanismo de Deslizamento de Câmara Dividida: O corpo do forno apresenta um sistema de deslizamento especializado que permite que a câmara seja movida ao longo do trilho. Isso permite o resfriamento rápido do tubo de processo e facilita a observação intuitiva das amostras de reação sem perturbar a vedação de vácuo.
- Controle de Fluxo de Massa de Precisão: O equipamento é equipado com uma unidade de controle de gás MFC de 4 canais, fornecendo regulação digital de gases fonte como CH4, H2, O2 e N2. Com linearidade de ±0,5% F.S. e repetibilidade de ±0,2% F.S., garante a estequiometria exata necessária para síntese de alta pureza.
- Interface de Controle PID Inteligente: Um controlador de alto desempenho com tela sensível ao toque TFT de 7 polegadas utiliza um mecanismo de feedback negativo de circuito fechado. Este sistema garante precisão de temperatura de ±1°C e permite a programação complexa de segmentos de aquecimento, manutenção e resfriamento.
- Compatibilidade com Alto Vácuo: A estação de vácuo integrada apresenta uma bomba de palhetas rotativa padrão de 4L/S capaz de atingir 10 Pa, com uma atualização opcional de bomba turbomolecular que atinge pressões de alto vácuo de 6x10^-5 Pa para ambientes de deposição ultra puros.
- Elementos de Aquecimento de Grau Industrial: Utilizando bobinas de fio Cr2Al2Mo2 embutidas em fibra de alumina japonesa importada de alta pureza, o sistema fornece uma temperatura máxima de trabalho de 1200℃ com recuperação térmica e eficiência energética excepcionais.
- Arquitetura de Segurança Robusta: A unidade inclui alarmes de sobrecorrente e sobretemperatura embutidos que desconectam automaticamente a energia para evitar danos. Também possui uma função de reinício após falha de energia, permitindo que o sistema retome os programas de aquecimento uma vez que a energia seja restaurada.
- Design de Flange Versátil: Flanges de vácuo de aço inoxidável com vedação dupla de silicone proporcionam um ambiente estanque. Essas flanges são projetadas com portas adaptáveis para acomodar diferentes medidores de vácuo, sensores ou entradas adicionais de precursor.
Aplicações
| Aplicação | Descrição | Benefício Principal |
|---|---|---|
| Síntese de Grafeno | Regulação precisa de gases fonte de carbono (CH4) e gases de arraste (H2, Ar) em altas temperaturas. | Produz filmes de grafeno monocamada ou multicamada de alta qualidade e grande área. |
| Crescimento de Nanofios | Crescimento controlado por vapor-líquido-sólido (VLS) de nanofios semicondutores sob alto vácuo. | Controle excepcional sobre o diâmetro e a orientação cristalina dos nanofios. |
| Revestimento de Filme Fino | Deposição de filmes metálicos, cerâmicos e compósitos em vários substratos via reação química. | Propriedades de superfície aprimoradas, incluindo dureza, resistência à corrosão e condutividade. |
| Processamento de Materiais para Baterias | Sinterização e secagem de materiais de cátodo/ânodo sob atmosferas protetoras. | Previne a oxidação e melhora a estabilidade eletroquímica dos componentes da bateria. |
| Produção de Nanotubos de Carbono (CNT) | Decomposição térmica de precursores de hidrocarbonetos sobre catalisadores metálicos. | Facilita o crescimento de florestas de CNT verticalmente alinhadas com alta densidade. |
| Dopagem de Semicondutores | Introdução de impurezas em wafers semicondutores através de difusão em alta temperatura. | Controle preciso das propriedades elétricas e profundidades de junção em dispositivos baseados em silício. |
| Tratamento Térmico em Atmosfera | Recozimento e têmpera de peças de aço especial ou cerâmicas em ambientes redutores. | Elimina a descarbonetação superficial e garante dureza uniforme do material. |
| Pesquisa de Materiais 2D | Síntese de dicalcogenetos de metais de transição (TMDCs) usando transporte de fase de vapor. | Permite a fabricação de sensores eletrônicos e optoeletrônicos de alta mobilidade. |
Especificações Técnicas
| Parâmetro | Detalhes da Especificação TU-CVD02 |
|---|---|
| Temp. Máx. | 1200℃ |
| Temperatura de Trabalho Constante | 1100℃ |
| Material do Tubo | Quartzo de alta pureza |
| Diâmetro do Tubo | 60mm |
| Comprimento da Zona de Aquecimento | 1 x 450mm |
| Material da Câmara | Fibra de alumina importada do Japão |
| Elemento de Aquecimento | Bobina de fio Cr2Al2Mo2 |
| Taxa de Aquecimento | 0-20℃/min |
| Termopar | Tipo K embutido |
| Controle de Temperatura | PID Digital / Tela Sensível ao Toque de 7 polegadas |
| Precisão de Controle | ±1°C |
| Distância de Deslizamento | 600mm |
| Canais de Gás MFC | 4 Canais (CH4, H2, O2, N2) |
| Vazões MFC | MFC1: 0-5SCCM; MFC2: 0-20SCCM; MFC3: 0-100SCCM; MFC4: 0-500SCCM |
| Precisão MFC | Linearidade ±0,5% F.S.; Repetibilidade ±0,2% F.S. |
| Pressão Máx. de Operação | 0,45 MPa |
| Unidade de Vácuo Padrão | Bomba de palhetas rotativa, vazão 4L/S, limite 10Pa |
| Unidade de Alto Vácuo (Opcional) | Bomba rotativa + molecular, limite 6x10^-5 Pa |
| Porta de Vácuo | KF25 |
| Funções de Segurança | Alarmes de sobretemp./sobrecorrente, detecção de falha de TC, Retomada após falha de energia |
Pacote Padrão Inclui:
- Forno de Câmara Dividida (Unidade Base TU-CVD02)
- Tubo de Quartzo de Alta Pureza
- Flanges de Vácuo de Aço Inoxidável (Par)
- Blocos Térmicos de Tubo de Alumina
- Manifold de Controle de Gás de Precisão (MFC 4 Canais)
- Estação de Bomba de Vácuo
- Luvas de Segurança Resistentes ao Calor
- Manual de Operação Abrangente
Por Que Escolher Este Produto
- Consistência de Engenharia de Precisão: Projetado com componentes avançados de grau semicondutor, este sistema limita o desvio entre substratos a menos de 2%, garantindo que seus resultados de pesquisa sejam reproduzíveis e escaláveis para aplicação industrial.
- Eficiência Laboratorial Aprimorada: O design de câmara dividida e o sistema de trilho deslizante permitem ciclagem térmica rápida. Ao resfriar as amostras rapidamente após a deposição, os pesquisadores podem completar mais ciclos experimentais em um único turno em comparação com fornos de câmara fixa tradicionais.
- Segurança e Conformidade Robusta: Cada unidade é equipada com protocolos de segurança multicamadas, incluindo desligamento automático durante eventos de sobretemperatura e monitoramento avançado de termopar, proporcionando tranquilidade durante execuções noturnas ou de longa duração.
- Configurações de Gás e Vácuo Personalizáveis: Reconhecemos que cada projeto de P&D é único. O manifold de gás modular e as portas de vácuo do sistema permitem atualizações fáceis, como adicionar sensores de gás tóxico, canais MFC adicionais ou estações turbo de ultra-alto vácuo.
- Gerenciamento Térmico Superior: O uso de isolamento premium de fibra de alumina japonesa importada resulta em uma câmara de baixa massa térmica que reage rapidamente a mudanças de temperatura, mantendo o invólucro externo frio e energeticamente eficiente.
Nosso compromisso com a excelência em engenharia garante que este equipamento sirva como um ativo confiável e de longo prazo para sua instalação. Entre em contato com nossa equipe de vendas técnicas hoje para discutir seus requisitos específicos de processo ou solicitar um orçamento personalizado para sua aplicação de pesquisa.
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