Máquina PECVD
Sistema PECVD (Deposição Química em Fase Vapor Aprimorada por Plasma) com Rotação Inclinada para Deposição de Filmes Finos e Síntese de Nanomateriais
Número do item: TU-PE02
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Visão Geral do Produto

Este avançado sistema de processamento térmico aprimorado por plasma representa o auge da tecnologia de deposição de filmes finos, especificamente projetado para pesquisadores e fabricantes industriais que requerem revestimentos de alta pureza. Ao integrar um mecanismo rotativo inclinado com capacidades de Deposição Química em Fase Vapor Aprimorada por Plasma (PECVD), o equipamento permite a criação de filmes sólidos a partir de precursores em fase de vapor a temperaturas significativamente mais baixas do que a CVD térmica tradicional. Essa capacidade é essencial para processar substratos sensíveis à temperatura, incluindo materiais de baixo ponto de fusão e estruturas compostas complexas, sem comprometer a integridade do material subjacente.
O sistema foi projetado para funcionar como uma estação de trabalho versátil para ciência dos materiais, microeletrônica e nanotecnologia. Ele facilita o crescimento de dielétricos, semicondutores e filmes metálicos de alta qualidade por meio de um ambiente controlado com precisão, onde o plasma, e não apenas o calor, ativa os gases de origem. Esta unidade é particularmente eficaz para aplicações em iluminação LED, semicondutores de potência e fabricação de dispositivos MEMS, oferecendo uma plataforma robusta para processos padronizados e desenvolvimento experimental de materiais em ambientes exigentes de laboratório e produção em escala piloto.
Construído para confiabilidade operacional de longo prazo, este equipamento apresenta arquitetura de vácuo em aço inoxidável 316 de alta qualidade e automação avançada. A integração de bombas de vácuo de alto desempenho e controladores de fluxo mássico de precisão garante resultados consistentes e repetíveis ao longo de milhares de ciclos. Seja usado para a síntese de materiais 2D como grafeno ou para a deposição de revestimentos ópticos protetores, o sistema oferece a precisão técnica e a durabilidade mecânica necessárias para pesquisa e desenvolvimento industrial rigorosos.
Características Principais
- Precisão de Deposição a Baixa Temperatura: Ao utilizar plasma de alta energia para estimular reações químicas, este sistema alcança formação de filme superior em temperaturas tão baixas quanto 200°C a 450°C. Isso protege substratos delicados e reduz o orçamento térmico de todo o processo de fabricação.
- Mecanismo Rotativo Inclinado: A arquitetura única do porta-amostras rotativo, ajustável de 0-20rpm, garante uniformidade excepcional do revestimento em toda a superfície do substrato. Isso é particularmente benéfico para geometrias complexas e para evitar a depleção localizada de precursores durante a deposição em alta taxa.
- Arquitetura de Vácuo de Alto Desempenho: A câmara é construída em aço inoxidável 316 e suportada por um sistema de bombeamento de dois estágios, incluindo uma bomba turbomolecular de alta capacidade. Esta configuração atinge um grau de vácuo final de ≤5×10-5Pa, garantindo um ambiente livre de contaminantes para o crescimento de materiais sensíveis.
- Controle Avançado de Potência de Plasma: Equipado com opções de energia DC e RF (500W-1000W), o sistema oferece modos de acoplamento flexíveis, incluindo indutivo ou capacitivo de placas. Isso permite aos usuários ajustar a densidade e energia do plasma aos requisitos específicos do precursor.
- Controle de Fluxo Mássico de Quatro Canais: Um sofisticado sistema de entrega de gases com quatro canais MFC independentes permite a mistura precisa de precursores e gases de arraste, possibilitando a síntese de compostos ternários e quaternários complexos com estequiometria exata.
- Gestão Térmica PID de Precisão: Utilizando um controlador PID SHIMADEN de alta precisão, o sistema mantém a estabilidade da temperatura dentro de ±0,5℃. Este nível de controle é vital para manter taxas de reação consistentes e a morfologia do filme durante todo o ciclo de deposição.
- Design Robusto da Câmara: A câmara de vácuo de 500mm x 550mm possui uma porta de observação com visão completa e um defletor protetor, permitindo que os operadores monitorem com segurança a descarga de plasma e o processo de deposição em tempo real sem comprometer a integridade térmica ou de vácuo.
- Adesão e Qualidade Superiores do Filme: A natureza energética do processo de deposição por plasma resulta em filmes com excelente adesão aos substratos, alta densidade e mínimos pinhões, reduzindo significativamente o risco de trincas ou delaminação no produto final.
Aplicações
| Aplicação | Descrição | Benefício Principal |
|---|---|---|
| Semicondutores de Potência | Deposição de camadas isolantes, óxidos de porta e filmes de passivação de SiNx em wafers de GaN ou SiC. | Protege a integridade do dispositivo através do processamento com baixo orçamento térmico. |
| Fabricação de MEMS | Produção de filmes finos de alta qualidade para microatuadores, sensores e componentes estruturais. | Fornece revestimentos uniformes e resistentes a trincas em microestruturas 3D intrincadas. |
| Células Solares de Filme Fino | Crescimento de filmes de silício amorfo e microcristalino para dispositivos fotovoltaicos de alta eficiência. | Permite altas taxas de deposição em grandes áreas com propriedades eletrônicas consistentes. |
| Revestimentos Ópticos | Aplicação de camadas anti-reflexo e filtros ópticos em substratos de vidro ou plástico. | Garante controle preciso de espessura e alta clareza óptica a baixas temperaturas. |
| Nanotecnologia | Síntese de nanomateriais, incluindo nanotubos de carbono, nanofios e crescimento de grafeno. | Fornece controle em nível molecular sobre a morfologia sem a necessidade de catalisadores metálicos. |
| Modificação de Superfície | Aprimoramento de componentes industriais com filmes de carbono tipo diamante (DLC) resistentes ao desgaste ou biocompatíveis. | Melhora significativamente a vida útil e o desempenho do componente em ambientes agressivos. |
| Fabricação de LED | Deposição de filmes dielétricos e semicondutores para diodos emissores de luz de alto brilho. | Otimiza a extração de luz e a confiabilidade do dispositivo através de camadas de filme de alta pureza. |
Especificações Técnicas
| Categoria do Parâmetro | Detalhe da Especificação | Dados Técnicos (Modelo: TU-PE02) |
|---|---|---|
| Manuseio do Substrato | Tamanho do Porta-Amostras | 1-6 polegadas |
| Velocidade de Rotação | 0-20rpm ajustável | |
| Desempenho Térmico | Temperatura Máxima de Aquecimento | ≤800℃ |
| Precisão de Controle | ±0,5℃ (Controlador PID SHIMADEN) | |
| Gestão de Gases | Tipo de Controle de Fluxo | Controlador de Fluxo Mássico (MFC) |
| Canais de Gás | 4 canais independentes | |
| Porta de Entrada de Gás | Conector VCR φ6 | |
| Sistema de Vácuo | Dimensões da Câmara | Φ500mm x 550mm |
| Material da Câmara | Aço inoxidável 316 | |
| Grau de Vácuo Final | ≤5×10-5Pa | |
| Bomba Primária | Bomba de vácuo de palhetas 15L/S | |
| Bomba de Alto Vácuo | Bomba turbo (1200L/s ou 1600L/s) | |
| Sensores de Vácuo | Medidores de Ionização / Resistência / Filme | |
| Portas de Vácuo | CF200 (Bomba), KF25 (Alívio) | |
| Fonte de Plasma | Tipo de Fonte de Energia | Energia DC ou energia RF |
| Faixa de Potência de Saída | 500W — 1000W | |
| Potência de Polarização | 500V | |
| Modo de Acoplamento | Indutivo ou capacitivo de placas | |
| Requisitos de Infraestrutura | Fornecimento de Energia Elétrica | AC 220V / 380V; 50Hz |
| Consumo de Energia Nominal | 5kW | |
| Método de Resfriamento | Resfriamento por água circulante | |
| Características Físicas | Dimensões | 900mm x 820mm x 870mm |
| Peso do Equipamento | 200kg | |
| Tipo de Acesso | Porta de abertura frontal com tampa de aço inox 304 |
Por Que Escolher Este Produto
- Engenharia Avançada com Baixo Orçamento Térmico: Nosso sistema é especificamente otimizado para produzir filmes de grau industrial em temperaturas que preservam as propriedades de substratos sensíveis, proporcionando uma vantagem crítica para a eletrônica de próxima geração.
- Confiabilidade de Grau Industrial: Construído com aço inoxidável 316 compatível com alto vácuo e componentes premium como controladores SHIMADEN, a unidade foi projetada para operação contínua em ambientes rigorosos de P&D e produção.
- Versatilidade de Processo Inigualável: Com mistura de gases de quatro canais e opções de plasma híbrido RF/DC, os usuários podem alternar entre a deposição de dielétricos, semicondutores e revestimentos duros com reconfiguração mínima.
- Resultados Orientados pela Precisão: A combinação de movimento rotativo do substrato e controle de fluxo mássico de alta precisão garante que a uniformidade e espessura do filme sejam mantidas dentro das tolerâncias mais rigorosas exigidas pela ciência dos materiais moderna.
- Suporte Escalável e Personalizável: Além das especificações padrão, nossa equipe de engenharia fornece serviços abrangentes de personalização para hardware e software, garantindo que o equipamento se integre perfeitamente ao seu fluxo de processo específico.
Para uma consulta detalhada ou para receber uma cotação formal adaptada aos seus requisitos específicos de filmes finos, entre em contato com nossa equipe de vendas técnicas hoje mesmo.
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