Forno RTP
Forno de Processamento Térmico Rápido 950C para Wafer de 12 Polegadas com Revestimento CSS e Suporte de Substrato Rotativo
Número do item: TU-RT33
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Visão Geral do Produto


Este sistema de processamento térmico rápido (RTP) e sublimação em espaço estreito (CSS) de alto desempenho representa o auge do processamento térmico em laboratório de grande escala e em linha piloto. Projetado especificamente para a deposição de filmes finos de alta qualidade e o recozimento de wafers de 12 polegadas, o equipamento integra aquecimento infravermelho de zona dupla com uma sofisticada arquitetura de substrato rotativo. Ao fornecer um ambiente controlado para transições complexas de materiais, esta unidade permite que pesquisadores e engenheiros industriais alcancem resultados repetíveis e de alta fidelidade no desenvolvimento de células solares e dispositivos semicondutores de próxima geração.
O sistema foi projetado para atender fluxos de trabalho exigentes de P&D industrial, voltados para aplicações avançadas em fotovoltaicos, como células solares de telureto de cádmio (CdTe), seleneto de antimônio (Sb2Se3) e perovskita. Seu principal diferencial está na capacidade de processar substratos de 12 polegadas de grande formato, mantendo a uniformidade térmica e as taxas de rampa rápidas exigidas pela síntese moderna de filmes finos. Seja utilizado para recozimento térmico rápido ou processos de solução assistidos por vapor, o equipamento oferece uma plataforma robusta para escalar inovações em ciência dos materiais desde a pesquisa fundamental até especificações prontas para produção.
Construída com componentes de grau industrial e uma câmara de vácuo em aço inoxidável de alta resistência, a unidade garante confiabilidade operacional de longo prazo sob condições de alto vácuo e alta temperatura. A integração de eletrônicos de controle de precisão e de um sistema de gerenciamento térmico resfriado a água permite operação contínua sem comprometer a integridade dos componentes internos. Este sistema é a escolha ideal para instalações que exigem uma combinação de compatibilidade com wafers grandes, resposta térmica rápida e a precisão de alto vácuo necessária para a fabricação de semicondutores de alta eficiência.
Principais Recursos
- Arquitetura de Aquecimento IR de Zona Dupla: O sistema utiliza dois grupos independentes de aquecedores infravermelhos de halogênio (superior e inferior) capazes de atingir 950ºC. Essa configuração de zona dupla permite controle preciso do gradiente de temperatura, o que é crítico para processos de sublimação em espaço estreito (CSS).
- Rotação Precisa do Substrato: Um suporte de wafer de 12 polegadas embutido apresenta um mecanismo de rotação ajustável (1 - 10 RPM). Isso garante excepcional uniformidade da espessura do filme e consistência estrutural em toda a superfície de substratos de grande formato.
- Desempenho Térmico Rápido: Projetada para velocidade, a unidade pode atingir taxas de aquecimento de até 8ºC/s e taxas de resfriamento de até 20ºC/s. Essa resposta rápida minimiza o orçamento térmico e permite o têmpera precisa de fases na síntese de materiais.
- Integridade de Alto Vácuo: A câmara de aço inoxidável com 20 polegadas de diâmetro interno foi projetada para atingir níveis de vácuo de 10^-5 Torr por meio de uma bomba turbomolecular. Esse ambiente limpo e de baixa pressão é essencial para evitar oxidação e garantir a pureza dos filmes finos depositados.
- Controle Avançado por PLC e Tela Sensível ao Toque: Todos os parâmetros operacionais, incluindo perfis de temperatura, níveis de vácuo, velocidades de rotação e posicionamento dos flanges, são gerenciados por meio de um sistema PLC centralizado com uma interface de tela sensível ao toque amigável.
- Melhoria da Uniformidade Térmica: Placas de grafite são posicionadas estrategicamente sobre os aquecedores IR para servir como buffers térmicos, suavizando possíveis pontos quentes e garantindo uma distribuição de calor perfeitamente uniforme em toda a área de processamento de 12 polegadas.
- Segurança e Resfriamento Integrados: Um chiller de água circulante de 58L/min está incluído para manter a temperatura das jaquetas dos aquecedores e das paredes da câmara, garantindo a segurança do operador e protegendo as vedações de vácuo durante ciclos de alta temperatura.
- Janelas de Observação In-Situ: Duas janelas de quartzo com 60mm de diâmetro permitem o monitoramento visual em tempo real do processo de deposição ou da condição da amostra sem quebrar o vácuo ou perturbar o ambiente térmico.
- Regulação Independente de Temperatura: Equipado com dois controladores digitais da série Eurotherm 3000, o sistema oferece programação de 24 segmentos para os aquecedores superior e inferior, proporcionando precisão de ±0,1ºC.
- Barreira de Vapor Integrada: Uma barreira deslizante hermética é integrada à câmara para bloquear fontes de evaporação sob alto vácuo, permitindo controle preciso do início e do fim do processo de deposição.
Aplicações
| Aplicação | Descrição | Principal Benefício |
|---|---|---|
| Síntese de Células Solares de CdTe | Sublimação em Espaço Estreito (CSS) de alta eficiência para deposição de filmes finos de telureto de cádmio. | Crescimento de grão superior e qualidade de interface otimizada para eficiência fotovoltaica. |
| Recozimento de Semicondutores | Processamento térmico rápido (RTP) de wafers de silício ou semicondutores compostos de 12 polegadas. | Menor orçamento térmico e ativação precisa de dopantes sem difusão. |
| Fotovoltaicos de Perovskita | Processos de solução assistidos por vapor e recozimento térmico de camadas de perovskita de grande área. | Melhoria da morfologia do filme e maior estabilidade da camada de captação de luz. |
| P&D de Filmes Finos de Sb2Se3 | Evaporação térmica rápida de seleneto de antimônio para fotovoltaicos orientados em fitas unidimensionais. | Controle sobre a orientação cristalina e redução de defeitos em contornos de grão. |
| CVD/Deposição Física de Vapor | Deposição geral de vapor em alto vácuo para pesquisa avançada em ciência dos materiais. | Plataforma versátil para explorar novas composições e estruturas de filmes finos. |
| Produção Piloto Industrial | Ampliação de receitas laboratoriais para formatos de 12 polegadas para testes de viabilidade industrial. | Transição contínua da P&D para processos de fabricação de semicondutores em grande escala. |
Especificações Técnicas
| Recurso | Detalhes da Especificação (Modelo: TU-RT33) |
|---|---|
| Temperatura de Trabalho | Máx. 950ºC para cada aquecedor; Máx. ΔT entre aquecedores ≤ 300ºC |
| Taxa de Aquecimento | < 8ºC/s (operação com um único aquecedor); Taxa instantânea máxima de até 1200ºC/min |
| Taxa de Resfriamento | < 10ºC/s a 20ºC/s (faixa de 600ºC a 100ºC) |
| Capacidade do Substrato | Até wafers circulares de 12" de diâmetro |
| Rotação do Substrato | Ajustável de 1 - 10 RPM via suporte montado na parte superior |
| Elementos de Aquecimento | Duas placas de aquecimento IR halógenas de 12" (superior e inferior) |
| Buffer Térmico | Placas de grafite incluídas para maior uniformidade de aquecimento |
| Câmara de Vácuo | Aço inoxidável; DI 500mm x A 460mm (20" DI) |
| Nível de Vácuo | 10^-5 Torr (com turbobomba) ou 10^-2 Torr (com bomba mecânica) |
| Controle de Temperatura | Dois controladores Eurotherm 3000; 24 segmentos programáveis; precisão de ±0,1ºC |
| Controle Lógico | Computador com Tela Sensível ao Toque via PLC; suporta 10 programas predefinidos |
| Portas de Observação | Duas janelas de quartzo com 60mm de diâmetro |
| Requisitos de Energia | 208 - 240VAC, trifásico, 50/60 Hz (380VAC disponível); 60 KW máx. |
| Sistema de Resfriamento | Chiller de água circulante de 58L/min (incluído) |
| Dimensões | C 1450 mm x L 1250 mm x A 2100 mm |
| Peso | Aproximadamente 500 Kg |
| Conformidade | Certificado CE; UL/MET/CSA disponíveis mediante solicitação |
Por que Escolher o TU-RT33
- Precisão Térmica Inigualável: A combinação de controladores duplos Eurotherm e tecnologia IR halógena permite resposta térmica instantânea e precisão extrema, garantindo que seus processos de filme fino sejam perfeitamente repetíveis.
- Escalabilidade para Padrões Industriais: Embora muitos sistemas RTP sejam limitados a pequenos cupons, esta unidade processa wafers completos de 12 polegadas, preenchendo a lacuna entre a pesquisa universitária e os padrões industriais de produção de semicondutores.
- Desempenho Robusto de Vácuo: A câmara de aço inoxidável de alta resistência e o sistema de bombeamento turbomolecular de alta velocidade fornecem o ambiente ultralimpo necessário para aplicações de alta pureza em semicondutores e células solares.
- Controle Abrangente do Processo: Com gerenciamento integrado por PLC de rotação, temperatura e vácuo, o sistema minimiza erros humanos e fornece registro detalhado de dados para garantia de qualidade e publicação acadêmica.
- Confiabilidade Comprovada em Pesquisas de Alto Impacto: Esta plataforma é confiável por instituições líderes para pesquisas publicadas em periódicos de alto nível como a Nature Photonics, comprovando sua capacidade em ciência dos materiais de ponta.
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