Forno de Processamento Térmico Rápido 950C para Wafer de 12 Polegadas com Revestimento CSS e Suporte de Substrato Rotativo

Forno RTP

Forno de Processamento Térmico Rápido 950C para Wafer de 12 Polegadas com Revestimento CSS e Suporte de Substrato Rotativo

Número do item: TU-RT33

Temperatura Máxima de Trabalho: 950°C Compatibilidade de Wafer: Até 12 polegadas de diâmetro Nível de Vácuo: 10-5 Torr (via turbobomba)
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Este sistema de processamento térmico rápido (RTP) e sublimação em espaço estreito (CSS) de alto desempenho representa o auge do processamento térmico em laboratório de grande escala e em linha piloto. Projetado especificamente para a deposição de filmes finos de alta qualidade e o recozimento de wafers de 12 polegadas, o equipamento integra aquecimento infravermelho de zona dupla com uma sofisticada arquitetura de substrato rotativo. Ao fornecer um ambiente controlado para transições complexas de materiais, esta unidade permite que pesquisadores e engenheiros industriais alcancem resultados repetíveis e de alta fidelidade no desenvolvimento de células solares e dispositivos semicondutores de próxima geração.

O sistema foi projetado para atender fluxos de trabalho exigentes de P&D industrial, voltados para aplicações avançadas em fotovoltaicos, como células solares de telureto de cádmio (CdTe), seleneto de antimônio (Sb2Se3) e perovskita. Seu principal diferencial está na capacidade de processar substratos de 12 polegadas de grande formato, mantendo a uniformidade térmica e as taxas de rampa rápidas exigidas pela síntese moderna de filmes finos. Seja utilizado para recozimento térmico rápido ou processos de solução assistidos por vapor, o equipamento oferece uma plataforma robusta para escalar inovações em ciência dos materiais desde a pesquisa fundamental até especificações prontas para produção.

Construída com componentes de grau industrial e uma câmara de vácuo em aço inoxidável de alta resistência, a unidade garante confiabilidade operacional de longo prazo sob condições de alto vácuo e alta temperatura. A integração de eletrônicos de controle de precisão e de um sistema de gerenciamento térmico resfriado a água permite operação contínua sem comprometer a integridade dos componentes internos. Este sistema é a escolha ideal para instalações que exigem uma combinação de compatibilidade com wafers grandes, resposta térmica rápida e a precisão de alto vácuo necessária para a fabricação de semicondutores de alta eficiência.

Principais Recursos

  • Arquitetura de Aquecimento IR de Zona Dupla: O sistema utiliza dois grupos independentes de aquecedores infravermelhos de halogênio (superior e inferior) capazes de atingir 950ºC. Essa configuração de zona dupla permite controle preciso do gradiente de temperatura, o que é crítico para processos de sublimação em espaço estreito (CSS).
  • Rotação Precisa do Substrato: Um suporte de wafer de 12 polegadas embutido apresenta um mecanismo de rotação ajustável (1 - 10 RPM). Isso garante excepcional uniformidade da espessura do filme e consistência estrutural em toda a superfície de substratos de grande formato.
  • Desempenho Térmico Rápido: Projetada para velocidade, a unidade pode atingir taxas de aquecimento de até 8ºC/s e taxas de resfriamento de até 20ºC/s. Essa resposta rápida minimiza o orçamento térmico e permite o têmpera precisa de fases na síntese de materiais.
  • Integridade de Alto Vácuo: A câmara de aço inoxidável com 20 polegadas de diâmetro interno foi projetada para atingir níveis de vácuo de 10^-5 Torr por meio de uma bomba turbomolecular. Esse ambiente limpo e de baixa pressão é essencial para evitar oxidação e garantir a pureza dos filmes finos depositados.
  • Controle Avançado por PLC e Tela Sensível ao Toque: Todos os parâmetros operacionais, incluindo perfis de temperatura, níveis de vácuo, velocidades de rotação e posicionamento dos flanges, são gerenciados por meio de um sistema PLC centralizado com uma interface de tela sensível ao toque amigável.
  • Melhoria da Uniformidade Térmica: Placas de grafite são posicionadas estrategicamente sobre os aquecedores IR para servir como buffers térmicos, suavizando possíveis pontos quentes e garantindo uma distribuição de calor perfeitamente uniforme em toda a área de processamento de 12 polegadas.
  • Segurança e Resfriamento Integrados: Um chiller de água circulante de 58L/min está incluído para manter a temperatura das jaquetas dos aquecedores e das paredes da câmara, garantindo a segurança do operador e protegendo as vedações de vácuo durante ciclos de alta temperatura.
  • Janelas de Observação In-Situ: Duas janelas de quartzo com 60mm de diâmetro permitem o monitoramento visual em tempo real do processo de deposição ou da condição da amostra sem quebrar o vácuo ou perturbar o ambiente térmico.
  • Regulação Independente de Temperatura: Equipado com dois controladores digitais da série Eurotherm 3000, o sistema oferece programação de 24 segmentos para os aquecedores superior e inferior, proporcionando precisão de ±0,1ºC.
  • Barreira de Vapor Integrada: Uma barreira deslizante hermética é integrada à câmara para bloquear fontes de evaporação sob alto vácuo, permitindo controle preciso do início e do fim do processo de deposição.

Aplicações

Aplicação Descrição Principal Benefício
Síntese de Células Solares de CdTe Sublimação em Espaço Estreito (CSS) de alta eficiência para deposição de filmes finos de telureto de cádmio. Crescimento de grão superior e qualidade de interface otimizada para eficiência fotovoltaica.
Recozimento de Semicondutores Processamento térmico rápido (RTP) de wafers de silício ou semicondutores compostos de 12 polegadas. Menor orçamento térmico e ativação precisa de dopantes sem difusão.
Fotovoltaicos de Perovskita Processos de solução assistidos por vapor e recozimento térmico de camadas de perovskita de grande área. Melhoria da morfologia do filme e maior estabilidade da camada de captação de luz.
P&D de Filmes Finos de Sb2Se3 Evaporação térmica rápida de seleneto de antimônio para fotovoltaicos orientados em fitas unidimensionais. Controle sobre a orientação cristalina e redução de defeitos em contornos de grão.
CVD/Deposição Física de Vapor Deposição geral de vapor em alto vácuo para pesquisa avançada em ciência dos materiais. Plataforma versátil para explorar novas composições e estruturas de filmes finos.
Produção Piloto Industrial Ampliação de receitas laboratoriais para formatos de 12 polegadas para testes de viabilidade industrial. Transição contínua da P&D para processos de fabricação de semicondutores em grande escala.

Especificações Técnicas

Recurso Detalhes da Especificação (Modelo: TU-RT33)
Temperatura de Trabalho Máx. 950ºC para cada aquecedor; Máx. ΔT entre aquecedores ≤ 300ºC
Taxa de Aquecimento < 8ºC/s (operação com um único aquecedor); Taxa instantânea máxima de até 1200ºC/min
Taxa de Resfriamento < 10ºC/s a 20ºC/s (faixa de 600ºC a 100ºC)
Capacidade do Substrato Até wafers circulares de 12" de diâmetro
Rotação do Substrato Ajustável de 1 - 10 RPM via suporte montado na parte superior
Elementos de Aquecimento Duas placas de aquecimento IR halógenas de 12" (superior e inferior)
Buffer Térmico Placas de grafite incluídas para maior uniformidade de aquecimento
Câmara de Vácuo Aço inoxidável; DI 500mm x A 460mm (20" DI)
Nível de Vácuo 10^-5 Torr (com turbobomba) ou 10^-2 Torr (com bomba mecânica)
Controle de Temperatura Dois controladores Eurotherm 3000; 24 segmentos programáveis; precisão de ±0,1ºC
Controle Lógico Computador com Tela Sensível ao Toque via PLC; suporta 10 programas predefinidos
Portas de Observação Duas janelas de quartzo com 60mm de diâmetro
Requisitos de Energia 208 - 240VAC, trifásico, 50/60 Hz (380VAC disponível); 60 KW máx.
Sistema de Resfriamento Chiller de água circulante de 58L/min (incluído)
Dimensões C 1450 mm x L 1250 mm x A 2100 mm
Peso Aproximadamente 500 Kg
Conformidade Certificado CE; UL/MET/CSA disponíveis mediante solicitação

Por que Escolher o TU-RT33

  • Precisão Térmica Inigualável: A combinação de controladores duplos Eurotherm e tecnologia IR halógena permite resposta térmica instantânea e precisão extrema, garantindo que seus processos de filme fino sejam perfeitamente repetíveis.
  • Escalabilidade para Padrões Industriais: Embora muitos sistemas RTP sejam limitados a pequenos cupons, esta unidade processa wafers completos de 12 polegadas, preenchendo a lacuna entre a pesquisa universitária e os padrões industriais de produção de semicondutores.
  • Desempenho Robusto de Vácuo: A câmara de aço inoxidável de alta resistência e o sistema de bombeamento turbomolecular de alta velocidade fornecem o ambiente ultralimpo necessário para aplicações de alta pureza em semicondutores e células solares.
  • Controle Abrangente do Processo: Com gerenciamento integrado por PLC de rotação, temperatura e vácuo, o sistema minimiza erros humanos e fornece registro detalhado de dados para garantia de qualidade e publicação acadêmica.
  • Confiabilidade Comprovada em Pesquisas de Alto Impacto: Esta plataforma é confiável por instituições líderes para pesquisas publicadas em periódicos de alto nível como a Nature Photonics, comprovando sua capacidade em ciência dos materiais de ponta.

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