Forno RTP
Forno Tubular 1200C com Deslizamento Magnético Interno de Amostra para Deposição por Vaporização Direta e Processamento Térmico Rápido
Número do item: TU-RT02
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Visão Geral do Produto

Este sistema de processamento térmico de alta precisão é projetado para pesquisa avançada em ciência de materiais, visando especificamente os requisitos complexos da Deposição por Vaporização Direta (DVD) e do Processamento Térmico Rápido (RTP). Ao integrar um mecanismo de deslizamento magnético manual de amostra, o equipamento permite o posicionamento preciso das amostras dentro da zona de aquecimento sem comprometer o vácuo ou a integridade atmosférica do processo. Essa capacidade é essencial para pesquisadores que trabalham com materiais 2D, deposição de filmes finos e recozimento térmico, onde as fases de temperatura de transição devem ser controladas com extrema precisão.
O equipamento é projetado para operar em temperaturas de até 1200°C, fornecendo uma plataforma robusta para síntese em alta temperatura e P&D industrial. Seu design compacto de tubo de 2 polegadas o torna ideal para ambientes de laboratório que exigem alto desempenho dentro de uma pegada limitada. As indústrias-alvo incluem fabricação de semicondutores, nanotecnologia e cerâmicas avançadas, onde a capacidade de manipular a posição da amostra em relação a um gradiente térmico estável é um fator crítico para alcançar resultados experimentais reproduzíveis.
Construído com componentes de grau industrial e foco na confiabilidade de longo prazo, esta unidade garante desempenho consistente em condições exigentes. A combinação de um suporte de amostra de alumina de alta condutividade, um monitor de temperatura certificado pelo NIST e um sofisticado sistema de controle PID fornece aos operadores a confiança necessária para o crescimento sensível de materiais. Seja usado para síntese em atmosfera controlada ou ambiente de alto vácuo, o sistema oferece a estabilidade térmica e a precisão mecânica necessárias para os fluxos de trabalho modernos de caracterização e produção de materiais.
Características Principais
- Viagem Magnética Inovadora da Amostra: O sistema utiliza um mecanismo de viagem interno acionado por ímãs externos, permitindo que o suporte da amostra se mova suavemente pela zona de aquecimento. Isso permite um controle preciso sobre as taxas de deposição e exposição térmica sem quebrar o selo de vácuo.
- Suporte de Amostra de Alumina de Alta Condutividade: O equipamento possui um suporte de amostra plano projetado para contato térmico ideal, garantindo que a temperatura monitorada via termopar tipo K integrado reflita o estado real da amostra com alta fidelidade.
- Monitoramento de Precisão Certificado pelo NIST: Cada unidade é equipada com um monitor de temperatura de precisão certificado pelo NIST conectado via uma passagem de vácuo dedicada, fornecendo uma camada extra de verificação para pesquisas críticas e conformidade.
- Controle PID Programmável Avançado de 30 Segmentos: O controlador de temperatura permite perfis térmicos complexos, incluindo ciclos de rampa, imersão e resfriamento, com proteções embutidas contra sobretemperatura e falha do termopar para proteger o equipamento.
- Flexibilidade Atmosférica de Dupla Zona: Projetado para operação sob vácuo ou atmosferas de baixa pressão, o sistema é compatível com vários gases, tornando-o versátil para processos de vapor químico como CVD, DVD e outros.
- Composição Robusta do Elemento de Aquecimento: Utilizando liga Fe-Cr-Al de alta qualidade dopada com Molibdênio, os elementos de aquecimento são projetados para longevidade em alta temperatura e tempos de resposta rápidos, mantendo uma temperatura máxima de 1200°C.
- Isolamento Térmico Otimizado: Blocos de tubo cerâmico fibroso de alta pureza são utilizados para minimizar a radiação de calor em direção aos flanges de vácuo, protegendo as vedações e garantindo um perfil de temperatura estável dentro da zona de trabalho.
- Integração de Vácuo Modular: A porta de vácuo padrão KF25 e os conectores de mangueira de 1/4" permitem integração rápida com bombas mecânicas ou turbo, facilitando a evacuação rápida e ambientes de processamento limpos.
Aplicações
| Aplicação | Descrição | Benefício Chave |
|---|---|---|
| Crescimento de Materiais 2D | Síntese de Grafeno, MoS2 e outros dicalcogenetos de metais de transição usando deposição de vapor controlada. | O movimento preciso da amostra permite taxas específicas de nucleação e crescimento. |
| Processamento Térmico Rápido | Submeter wafers de semicondutores a ciclos rápidos de aquecimento e resfriamento para ativar dopantes ou alterar propriedades do filme. | O deslizamento acionado por ímã permite transição rápida entre zonas quentes e frias. |
| Deposição por Vaporização Direta | Vaporizar precursores sólidos em alto calor e depositá-los em um substrato posicionado em um gradiente mais frio. | O posicionamento preciso da amostra dentro do gradiente térmico otimiza a qualidade do filme. |
| Recozimento de Filmes Finos | Tratamento térmico pós-deposição de filmes finos para melhorar a cristalinidade e propriedades elétricas. | O controle PID consistente garante estrutura cristalina uniforme em todo o substrato. |
| Pesquisa de Catalisadores | Testar e ativar materiais catalíticos sob várias atmosferas gasosas e altas temperaturas. | O controle de alto vácuo e atmosfera permite ambientes de reação limpos e reproduzíveis. |
| Prensagem de Cerâmica | Processamento em alta temperatura de componentes ou pós cerâmicos em pequena escala. | A capacidade estável de 1200°C fornece o calor necessário para a formação de material denso. |
Especificações Técnicas
| Categoria de Especificação | Detalhes do Parâmetro (TU-RT02) |
|---|---|
| Identificador do Modelo | TU-RT02 |
| Fonte de Alimentação | 110VAC ou 208-240 VAC, 50/60Hz (1.5 KW) |
| Temperatura Máxima | 1200°C (< 1 hora de duração) |
| Temperatura Contínua | 1100°C |
| Taxa de Aquecimento | ≤ 20°C por minuto |
| Comprimento da Zona de Aquecimento | 8" (200mm) Zona Única |
| Zona de Temperatura Constante | 2.3" (60mm) dentro de ±1°C @ 1000°C |
| Controlador de Temperatura | Controle automático PID, programável de 30 etapas, acionamento SSR |
| Precisão da Temperatura | ± 1°C |
| Elementos de Aquecimento | Liga Fe-Cr-Al dopada com Mo |
| Tubo de Processamento | Quartzo de alta pureza; 50mm O.D x 44mm I.D x 1000mm L |
| Suporte de Amostra | Suporte Plano de Alumina (2" L x 1" W) com Termopar Tipo K |
| Mecanismo de Viagem | Mecanismo de deslizamento manual magnético com acoplamento ímã interno/externo |
| Flanges de Vácuo | Aço Inoxidável 2" com porta KF25, conexões de mangueira 1/4" e Passagem 1/4" |
| Nível de Vácuo | 10^-2 torr via bomba mecânica padrão |
| Conformidade | Certificado CE (NRTL/CSA disponível sob consulta) |
| Dimensões & Segurança | Inclui proteção embutida contra sobretemperatura e alarmes de falha do termopar |
Por Que Nos Escolher
Investir neste sistema de processamento térmico garante que sua instalação esteja equipada com uma ferramenta projetada para os rigores da nanotecnologia moderna e da síntese de materiais. A principal vantagem do mecanismo de viagem interno é a eliminação da necessidade de quebrar o vácuo durante a translação da amostra, o que aumenta drasticamente o rendimento do experimento e evita a contaminação da amostra. Nossa equipe de engenharia priorizou a precisão térmica, utilizando componentes certificados pelo NIST para garantir que os dados que você coleta sejam precisos e publicáveis.
Além das especificações técnicas, este forno é construído para longevidade. A combinação de quartzo de alto grau, elementos de liga dopados com molibdênio e flanges robustos de aço inoxidável garante que o sistema mantenha seu desempenho ao longo de anos de operação contínua. Além disso, a natureza modular das portas de vácuo e entrega de gás permite escalabilidade futura, seja você adicionando misturadores de gás multicanal ou módulos de controle avançados baseados em PC. Escolher este equipamento significa escolher um parceiro em sua pesquisa, respaldado por um compromisso com a excelência técnica e suporte ao cliente responsivo.
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