Forno Tubular de Divisão de Alta Temperatura de 1200°C com Mecanismo de Deslocamento Interno para Pesquisa em HPCVD e Crescimento de Cristais

Forno RTP

Forno Tubular de Divisão de Alta Temperatura de 1200°C com Mecanismo de Deslocamento Interno para Pesquisa em HPCVD e Crescimento de Cristais

Número do item: TU-RT07

Temperatura Máxima de Trabalho: 1200°C Precisão do Controle de Temperatura: ±1°C Faixa de Curso Interno: 100 mm
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Este sistema de processamento de alta temperatura é um sofisticado forno tubular de divisão de 2 polegadas, projetado para síntese avançada de materiais e pesquisa térmica. Em seu núcleo, a unidade integra um mecanismo de deslocamento interno especializado que permite aos pesquisadores controlar com precisão a posição do barco de amostra ou cadinho dentro da câmara de aquecimento sob vácuo. Esta capacidade é fundamental para processos que exigem movimento dinâmico através de um gradiente térmico, fornecendo uma plataforma versátil para deposição de vapor físico-química híbrida (HPCVD) e crescimento de cristais de alta pureza. O design do forno de divisão aumenta ainda mais a eficiência operacional, permitindo resfriamento rápido e fácil acesso ao tubo de processamento.

Projetado para os ambientes laboratoriais mais exigentes, este equipamento serve como uma ferramenta crítica para pesquisadores em ciência dos materiais, desenvolvimento de semicondutores e química de estado sólido. Ao facilitar o processamento térmico multifuncional — incluindo evaporação térmica rápida (RTE) e crescimento de cristais de Bridgman horizontal — o sistema capacita os usuários a explorar estruturas de cristal de nova geração e camadas complexas de filmes finos. A integração de quartzo de alta pureza e componentes de aço inoxidável de engenharia de precisão garante que o ambiente de processamento permaneça livre de contaminação, mesmo ao operar em temperaturas que atingem 1200°C.

Confiabilidade e consistência são as marcas registradas desta unidade de processamento térmico. Construído com elementos de aquecimento de grau industrial e um sistema de acionamento robusto controlado por CLP, oferece desempenho repetível ao longo de centenas de ciclos. A combinação de regulação de temperatura PID avançada e precisão mecânica garante que as condições experimentais sejam mantidas com extrema precisão. Seja utilizado para desenvolvimento de protótipos em pequena escala ou caracterização fundamental de materiais, este sistema fornece a estabilidade e o controle necessários para P&D industrial de ponta e pesquisa acadêmica de alto nível.

Principais Características

  • Mecanismo de Deslocamento Interno de Precisão: O equipamento está equipado com um motor de passo especializado de 24VCC e 100W que movimenta o barco de amostra dentro do tubo de quartzo. Isso permite um movimento linear controlado de até 100 mm a uma velocidade constante, o que é essencial para solidificação direcional e exposição térmica graduada.
  • Controle por Tela Sensível ao Toque com CLP Integrado: Uma interface digital centralizada gerencia tanto o perfil térmico quanto a distância de deslocamento mecânico. Esta integração permite que os usuários sincronizem as mudanças de temperatura com o posicionamento da amostra, um requisito crítico para protocolos complexos de deposição de vapor.
  • Capacidade de Processamento Térmico Rápido (RTP): Ao mover a base da amostra para dentro ou para fora de uma zona quente pré-aquecida, este sistema pode atingir taxas de aquecimento e resfriamento significativamente maiores do que os fornos estacionários, simulando efetivamente as condições de RTP para recozimento de filmes finos.
  • Campo Térmico de Quartzo de Alta Pureza: O sistema utiliza um tubo de processamento de quartzo premium, proporcionando excelente inércia química e resistência ao choque térmico. Isso garante que nenhuma impureza seja introduzida na atmosfera de reação, mesmo durante reações em fase gasosa de alta temperatura.
  • Controle Superior de Vácuo e Atmosfera: A unidade possui flanges seladas a vácuo com foles de aço inoxidável que permanecem herméticos mesmo enquanto o mecanismo interno está em movimento. Isso permite um processamento estável sob altos níveis de vácuo ou ambientes de gás inerte controlados.
  • Regulação de Temperatura PID Avançada: Utilizando um controlador programável de 30 etapas com tecnologia de relé de estado sólido, o sistema mantém uma precisão de ±1°C. Isso garante uma zona de temperatura constante de 60 mm, crítica para manter taxas uniformes de crescimento de cristais.
  • Engenharia de Forno de Divisão: O design de dobradiça dividida do corpo do forno permite o resfriamento rápido do tubo e facilita a troca rápida de amostras ou tubos de processamento, maximizando o rendimento do laboratório.
  • Opções de Múltiplas Zonas Expansíveis: Para processos que exigem gradientes térmicos mais complexos, a unidade pode ser atualizada para uma configuração de zona dupla, fornecendo zonas de temperatura constante estendidas ou gradientes mais íngremes, conforme exigido pela aplicação.

Aplicações

Aplicação Descrição Principal Benefício
HPCVD Deposição de Vapor Físico-Química Híbrida envolvendo gases reagentes e vapor de evaporação. Controle preciso sobre a mistura de gases e o local de deposição.
RTE Evaporação Térmica Rápida onde os materiais são movidos para a zona quente para mudança de fase de vapor instantânea. Minimiza o estresse térmico nos substratos e melhora a pureza do filme.
Crescimento Bridgman Crescimento de monocristais movendo um cadinho através de um gradiente térmico controlado. Melhora a integridade estrutural do cristal através de solidificação constante.
Síntese de CNT Síntese de Nanotubos de Carbono Alinhados Verticalmente usando gases transportadores e de reação. Fornecimento uniforme de fonte de carbono e ambiente térmico estável.
Recozimento de Filme Fino Aquecimento e resfriamento rápidos de camadas depositadas para modificar a estrutura do grão. Controle preciso sobre transições de fase e propriedades do material.
Solidificação Direcional Controle da direção de resfriamento de materiais fundidos para influenciar a microestrutura. Melhora das propriedades mecânicas e alinhamento de grãos em ligas.
Dopagem de Semicondutores Introdução de impurezas em wafers semicondutores a temperaturas específicas. Alta uniformidade em toda a superfície da amostra via controle de movimento.
Transporte em Fase de Vapor Utilização de agentes de transporte químico para cultivar cristais de alta pureza a partir de vapor. Excelente controle espacial sobre as zonas de fonte e crescimento.

Especificações Técnicas

Configuração do Sistema: TU-RT07

Característica Detalhes da Especificação
Fonte de Alimentação 208 - 240 VCA, 50/60Hz, 1,2 KW Máx.
Temp. Máx. de Trabalho 1200°C (Curto prazo); 1100°C (Contínuo)
Dimensões do Tubo de Quartzo 50mm D.E. x 44mm D.I. x 450mm C.
Comprimento da Zona de Aquecimento 200 mm (8")
Zona de Temp. Constante 60 mm (±1°C a 1000°C)
Controle de Temperatura Controle automático PID, 30 etapas programáveis
Precisão de Controle ±1°C via termopar tipo K
Mecanismo de Deslocamento Motor de passo 24VCC (100W)
Distância Máx. de Deslocamento 100 mm (dentro do tubo selado a vácuo)
Velocidade de Deslocamento 180 mm/min (Constante)
Flanges de Vácuo Grampo rápido de 2" com conexões de 1/4" e válvula de agulha
Nível de Vácuo 10^-2 torr (Bomba mecânica); 10^-5 torr (Turbo bomba)
Conformidade de Segurança Certificação CE (NRTL/CSA disponível mediante solicitação)
Barco de Amostra Barco mini-cadinho 50 x 20 x 20mm (~20ml)

Taxas Típicas de Aquecimento e Resfriamento (via Movimento da Amostra)

Faixa de Temperatura Taxa de Aquecimento (Máx.) Taxa de Resfriamento (Máx.)
950°C - 850°C 0,5°C/seg 7°C - 10°C/seg
650°C - 550°C 1,0°C - 2,0°C/seg 1,5°C - 2,0°C/seg
250°C - 150°C 10°C/seg N/A

Por que Escolher Este Sistema

  • Projetado para Precisão: Este sistema não é apenas um forno, mas um instrumento de precisão, combinando controle térmico de alta precisão com movimento mecânico confiável para resultados científicos repetíveis.
  • Plataforma de Pesquisa Versátil: A capacidade de realizar HPCVD, RTE e crescimento Bridgman em uma única unidade torna esta uma solução excepcionalmente econômica para laboratórios de materiais multidisciplinares.
  • Construção Robusta: Utilizando quartzo de alta pureza e eletrônicos de grau industrial, o equipamento é projetado para consistência operacional de longo prazo sob condições de alto vácuo e alta temperatura.
  • Soluções Personalizáveis: Oferecemos ampla personalização, incluindo modificações no suporte de amostra (AIN ou Grafite), controle de deslocamento de velocidade variável e sistemas de fornecimento de gás multicanal para atender a necessidades específicas de pesquisa.
  • Conformidade Abrangente: A certificação CE garante que o sistema atenda a rigorosos padrões de segurança, com certificações opcionais NRTL ou CSA disponíveis para requisitos laboratoriais específicos.

Este forno de engenharia de precisão representa um investimento premium nas capacidades de pesquisa da sua instalação. Entre em contato com nossa equipe de vendas técnicas hoje mesmo para discutir seus requisitos de processo específicos ou para solicitar uma cotação formal para uma solução térmica personalizada.

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