Forno de Tubo
Forno Tubular Rotativo de Zona Dupla de Alta Temperatura 1500°C com Aquecimento de Carbeto de Silício para Síntese de Materiais Avançados
Número do item: TU-GS04
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Visão Geral do Produto

Este forno tubular rotativo de zona dupla de alto desempenho representa o auge da tecnologia de processamento térmico, projetado especificamente para pesquisadores de ciência dos materiais e fabricantes industriais que exigem gradientes de temperatura precisos e controle atmosférico excepcional. Ao integrar um mecanismo rotativo com capacidades de aquecimento de zona dupla, este sistema garante uma uniformidade inigualável para processamento de pós, aplicações de revestimento e deposição química de vapor (CVD). O equipamento proporciona um ambiente estável de alta temperatura que atinge até 1500°C, tornando-o uma ferramenta essencial para o desenvolvimento de cerâmicas avançadas, materiais de bateria e componentes semicondutores.
Projetada para ambientes rigorosos de P&D e produção industrial de pequeno porte, a unidade destaca-se em aplicações onde a agitação do material é crítica para resultados consistentes. O recurso de tubo rotativo facilita o movimento contínuo dos materiais dentro da câmara aquecida, evitando a aglomeração e garantindo que cada partícula seja exposta ao campo térmico uniforme. Esta capacidade, combinada com isolamento de fibra de alumina de alta pureza e controle PID sofisticado, permite ciclos rápidos de aquecimento e resfriamento, mantendo a integridade estrutural das amostras processadas sob condições exigentes.
A confiabilidade está no centro da engenharia deste sistema. Utilizando elementos de aquecimento de carbeto de silício (SiC) premium com designs de carga superficial otimizados e um acionamento mecânico robusto, o equipamento é construído para consistência operacional a longo prazo. Seja utilizado para calcinação simples ou síntese atmosférica complexa de vários estágios, esta unidade oferece a precisão e a durabilidade exigidas pelos padrões laboratoriais modernos. As equipes de compras industriais podem confiar neste sistema para fornecer dados repetíveis e resultados de materiais de alta qualidade, apoiados por recursos de segurança abrangentes e opções de configuração modular.
Principais Recursos
- Controle de Temperatura Independente de Zona Dupla: O sistema possui duas zonas de aquecimento controladas de forma independente, permitindo que os usuários criem gradientes de temperatura precisos ou uma zona quente uniforme maior. Isso é particularmente vantajoso para processos de sublimação e transporte em fase de vapor, onde diferenciais de temperatura são críticos.
- Elementos de Aquecimento de Carbeto de Silício (SiC) Aprimorados: Equipado com hastes de SiC de 14 mm de diâmetro (maiores que o padrão da indústria de 12 mm), o forno beneficia-se de uma carga superficial menor por unidade de área. Este design estende significativamente a vida útil dos elementos e garante uma radiação de calor mais estável.
- Isolamento Térmico Superior: A câmara é construída a partir de fibra policristalina de alumina de alta pureza, fabricada usando tecnologia avançada de sucção a vácuo e moldagem por filtro. Esta tecnologia de inspiração japonesa resulta em baixa capacidade térmica, condução de calor mínima e alta refletividade para maior eficiência energética.
- Mecanismo Rotativo Integrado: O recurso de rotação do tubo garante que pós e materiais granulares sejam continuamente tombados durante o ciclo de aquecimento. Isso promove uma distribuição uniforme de calor e interação gás-sólido, o que é essencial para processos de dopagem ou revestimento uniformes.
- Controlador PID Avançado de 30 Segmentos: O sistema de controle inteligente permite perfis térmicos complexos com até 30 segmentos programáveis. Inclui funções de autoajuste e ajuste de alta precisão para manter uma estabilidade de ±1°C em toda a faixa operacional.
- Design de Extremidade Fria Estendido: Os elementos de aquecimento apresentam extremidades frias de 210 mm (o padrão é 180 mm), o que garante que as conexões elétricas permaneçam a uma temperatura mais baixa. Esta escolha de engenharia reduz o estresse térmico na fiação e melhora a segurança geral e a longevidade do sistema elétrico.
- Versatilidade Abrangente de Vácuo e Atmosfera: O equipamento suporta uma ampla gama de níveis de vácuo, desde bombeamento mecânico básico até sistemas de bomba molecular de alto vácuo que atingem 10-3 Pa. Várias opções de flange, incluindo variantes articuladas e resfriadas a água, permitem a integração perfeita de ferramentas de fornecimento e monitoramento de gás.
- Proteções de Segurança Robustas: Interruptores de ar integrados e protetores contra vazamento desconectam automaticamente a fonte de alimentação em caso de sobrecorrente ou vazamento elétrico. Além disso, o sistema inclui proteção contra sobretemperatura e quebra de termopar para evitar danos ao hardware durante a operação sem supervisão.
Aplicações
| Aplicação | Descrição | Principal Benefício |
|---|---|---|
| Calcinação de Pó | Tratamento térmico de materiais granulares mantendo movimento constante dentro do tubo rotativo. | Evita a sinterização de partículas e garante uma transformação de fase uniforme. |
| CVD / PECVD | Síntese de filmes finos e nanomateriais, como nanotubos de carbono ou grafeno. | O controle de zona dupla permite transporte de vapor e taxas de deposição precisos. |
| Pesquisa de Materiais de Bateria | Síntese e recozimento de materiais de cátodo e ânodo sob atmosferas controladas. | O aquecimento uniforme dos pós leva a uma melhor consistência do desempenho eletroquímico. |
| Sinterização Cerâmica | Processamento em alta temperatura de pós cerâmicos avançados e precursores. | A capacidade de 1500°C permite o processamento de cerâmicas técnicas de alto ponto de fusão. |
| Preparação de Catalisadores | Impregnação e secagem de suportes de catalisadores envolvendo reações gás-sólido. | A rotação do tubo maximiza a exposição da área superficial aos gases reagentes. |
| Dopagem de Semicondutores | Difusão de dopantes em wafers ou pós semicondutores em altas temperaturas. | A alta precisão (±1°C) garante perfis de dopagem repetíveis entre lotes. |
| Materiais Aeroespaciais | Testes e síntese de compósitos e ligas resistentes a altas temperaturas. | Desempenho confiável sob ciclos de calor intenso de longa duração para validação de P&D. |
Especificações Técnicas
| Especificação | TU-GS04-I | TU-GS04-II |
|---|---|---|
| Temperatura Máxima | Zona 1: 1500°C / Zona 2: 1500°C | Zona 1: 1500°C / Zona 2: 1500°C |
| Temperatura Nominal | Zona 1: 1400°C / Zona 2: 1400°C | Zona 1: 1400°C / Zona 2: 1400°C |
| Dimensões da Câmara | Ø60 (DE) x 1200 mm | Ø80 (DE) x 1200 mm |
| Potência | 9 KW | 9 KW |
| Tensão / Fase | 220V / Monofásico | 220V / Monofásico |
| Elementos de Aquecimento | Hastes de Carbeto de Silício (SiC) | Hastes de Carbeto de Silício (SiC) |
| Sistema de Controle | PID de 30 segmentos com Instrumento Yu Electric (Padrão) | PID de 30 segmentos com Instrumento Yu Electric (Padrão) |
| Precisão de Controle | ±1°C | ±1°C |
| Taxa de Aquecimento | ≤20°C/min (10°C/min recomendado) | ≤20°C/min (10°C/min recomendado) |
| Tipo de Termopar | Tipo S | Tipo S |
| Comprimento de Aquecimento | 300 mm | 300 mm |
| Comprimento de Temp. Constante | 400 - 450 mm | 400 - 450 mm |
| Material da Câmara | Fibra Policristalina de Alumina | Fibra Policristalina de Alumina |
| Gatilho | Gatilho de fase deslocada | Gatilho de fase deslocada |
| SCR | 106/16E SEMIKRON | 106/16E SEMIKRON |
| Níveis de Vácuo | 10 Pa (Padrão) a 10-3 Pa (Alto Vácuo Opcional) | 10 Pa (Padrão) a 10-3 Pa (Alto Vácuo Opcional) |
| Temperatura da Superfície | ≤45°C | ≤45°C |
| Comunicação | Interface RS485 (Padrão) | Interface RS485 (Padrão) |
Por que escolher o TU-GS04
- Projetado para Confiabilidade: Ao usar hastes de SiC mais espessas de 14 mm e extremidades frias mais longas, este sistema minimiza o desgaste dos elementos e o estresse térmico elétrico, fornecendo uma solução mais robusta do que os fornos de laboratório de nível básico.
- Eficiência Térmica Inigualável: A câmara de fibra de alumina com tecnologia japonesa garante que o exterior permaneça frio (≤45°C) enquanto mantém as temperaturas internas máximas, reduzindo o consumo de energia e o calor ambiente do laboratório.
- Controle Multizona de Precisão: A funcionalidade de zona dupla permite a criação de gradientes térmicos complexos, essenciais para transporte avançado de vapor químico e engenharia de materiais que sistemas de zona única não conseguem alcançar.
- Soluções de Vácuo Escaláveis: Desde o deslocamento básico de gás até sistemas moleculares de alto vácuo, o forno é compatível com uma ampla gama de conjuntos de bombeamento para atender aos requisitos específicos de pureza experimental.
- Segurança Líder na Indústria: Interruptores de ar integrados, proteção contra vazamento e cortes automáticos de sobretemperatura protegem tanto sua pesquisa quanto suas instalações contra riscos elétricos e térmicos.
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