Forno de Tubo de Dupla Zona 1100°C com Tubo de Quartzo de 11 Polegadas e Flanges de Vácuo para Processamento de Wafer de 8 Polegadas

Forno de Tubo

Forno de Tubo de Dupla Zona 1100°C com Tubo de Quartzo de 11 Polegadas e Flanges de Vácuo para Processamento de Wafer de 8 Polegadas

Número do item: TU-32

Temperatura Máxima: 1100°C Diâmetro do Tubo: 11" (279mm) D.E. Comprimento da Zona de Aquecimento: 24" (600mm) Total
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Este forno de tubo de dupla zona de alto desempenho é um sistema de processamento térmico sofisticado projetado para pesquisa de materiais avançados e P&D industrial. Com um tubo de quartzo fundido excepcionalmente grande com 11 polegadas de diâmetro externo, o equipamento oferece um ambiente de aquecimento espaçoso adequado para amostras em larga escala e wafers semicondutores de até 8 polegadas de diâmetro. A configuração de dupla zona permite a criação de gradientes térmicos precisos ou uma zona de temperatura constante mais ampla, oferecendo aos pesquisadores flexibilidade incomparável no gerenciamento de perfis complexos de tratamento térmico. Ao integrar isolamento de fibra de alumina de alta pureza, este sistema garante máxima eficiência energética e tempos de resposta térmica rápidos.

O equipamento é projetado especificamente para aplicações de alta pureza, incluindo a sinterização de amostras de novos materiais e o recozimento de wafers semicondutores sob vácuo ou atmosferas de gás controladas. Os setores-alvo vão desde fabricação de semicondutores e metalurgia até nanotecnologia e pesquisa em energia renovável. A câmara de processamento de grande diâmetro permite maior rendimento e a acomodação de cadinhos e recipientes especializados, tornando-a uma escolha ideal para laboratórios que estão em transição de experimentos em pequena escala para desenvolvimento em escala piloto. Suas recursos robustos de vácuo e manipulação de gás facilitam o controle preciso do ambiente químico durante as etapas críticas de processamento.

Confiabilidade e consistência são as marcas registradas do projeto desta unidade. Construído para suportar condições industriais exigentes, o sistema utiliza controladores digitais de alta precisão e elementos de aquecimento de fio de resistência NiCrAl duráveis para manter o desempenho estável por longos períodos. A inclusão de flanges de aço inoxidável resfriados a água protege a integridade das vedações de vácuo, garantindo um ambiente livre de vazamentos mesmo durante ciclos de alta temperatura. Este compromisso com a excelência em engenharia garante que todos os processos, desde calcinação básica até deposição química de vapor avançada, sejam executados com resultados repetíveis e de alta precisão em que pesquisadores profissionais podem confiar.

Principais Características

  • Controle de Temperatura de Dupla Zona de Precisão: O sistema conta com duas zonas de aquecimento controladas independentemente, cada uma com 300 mm de comprimento, gerenciadas por controladores digitais PID de alta precisão. Isso permite o estabelecimento de gradientes térmicos estáveis ou uma zona de temperatura constante combinada de 300 mm com precisão de ±1°C, essencial para processos como crescimento de nanofitas TMD.
  • Câmara de Quartzo Extragrande de 11 Polegadas: Equipado com um tubo de quartzo fundido maciço de 279 mm de diâmetro externo, este forno acomoda amostras de grande formato, incluindo wafers semicondutores padrão de 8 polegadas. O material de quartzo de alta pureza oferece excelente resistência ao choque térmico e inércia química, garantindo um ambiente livre de contaminantes.
  • Flanges de Vácuo articuladas Avançadas: As flanges de vácuo de aço inoxidável têm um projeto articulado para facilitar o carregamento e descarregamento de amostras. Canais integrados de resfriamento a água na estrutura de flange de camada dupla protegem efetivamente as vedações de anel O, mantendo a integridade do vácuo durante operação sustentada em temperaturas de até 1100°C.
  • Isolamento Térmico de Alta Eficiência: Utilizando isolamento de fibra de alumina de alta pureza, o equipamento minimiza a perda de calor e reduz o consumo de energia. Este isolamento leve e de alto desempenho também permite taxas mais rápidas de aquecimento e resfriamento, otimizando o tempo de ciclo geral para o rendimento laboratorial.
  • Elementos de Aquecimento Robustos e Segurança: Elementos de aquecimento de fio de resistência NiCrAl de longa vida útil fornecem distribuição de calor consistente. Para a segurança do operador e do equipamento, um monitor de temperatura secundário está incluído para proteger contra condições de superaquecimento e termopares quebrados, proporcionando tranquilidade durante operação não monitorada.
  • Portos Integrados de Gás e Vácuo: O sistema inclui um manômetro de vácuo mecânico, duas válvulas de agulha de aço inoxidável e um porta de vácuo KF25. Este conjunto completo de acessórios permite o gerenciamento preciso da atmosfera, suportando níveis de vácuo de 10-2 torr com bombas mecânicas até 10-4 torr com sistemas turbomoleculares.
  • Perfis Programáveis de Tratamento Térmico: Ambos os controladores de temperatura suportam 30 segmentos programáveis, permitindo que os usuários automatizem sequências complexas de rampa, imersão e resfriamento. Isso garante alta reprodutibilidade entre vários lotes, o que é fundamental para pesquisa padronizada e controle de qualidade industrial.
  • Interface de Computador e Registro de Dados: O equipamento é compatível com software de controle especializado baseado em Labview, permitindo que pesquisadores editem perfis de temperatura, gerenciem receitas e gravem dados em tempo real em um PC para análise e documentação completas pós-processamento.

Aplicações

Aplicação Descrição Benefício Principal
Recozimento de Wafer Semicondutor Processamento térmico de wafers de grande formato (até 8") para reparar defeitos cristalinos ou ativar dopantes. Uniformidade superior em toda a área da superfície do wafer.
Crescimento de Nanofitas TMD Utilização de dupla zona para controlar independentemente a pressão de vapor do calcogênio e a temperatura de reação do substrato. Controle preciso sobre a largura da nanofita e a cinética de crescimento via supersaturação.
Pirólise Catalítica Decomposição em alta temperatura de materiais orgânicos, como pneus usados, sob atmosferas controladas. Prevenção de superaquecimento localizado e carbonização excessiva através de gradientes estáveis.
Sinterização de Materiais Consolidação de materiais em pó em sólidos densos para pesquisa em cerâmica estrutural ou eletrônica. Densidade consistente e estrutura de grão obtidas com precisão de ±1°C.
Deposição Química de Vapor (CVD) Deposição precisa de filmes finos usando misturas de gás especializadas e tubos de processamento de grande diâmetro. Acomoda substratos grandes e fluxo de gás de alto volume para pesquisa escalável.
Tratamento Térmico a Vácuo Alívio de tensão ou endurecimento de componentes metálicos em um ambiente isento de oxigênio. Elimina a oxidação e a contaminação superficial durante ciclos de alta temperatura.

Especificações Técnicas

Parâmetro Especificações para TU-32
Número do Modelo TU-32
Material do Tubo Quartzo Fundido de Alta Pureza
Dimensões do Tubo 279 mm D.E x 269 mm D.I x 1000 mm Comprimento (11" x 10.6" x 40")
Temperatura Máxima 1100°C (< 60 min, sob gás inerte)
Temperatura Contínua 400°C - 1000°C (sob vácuo ou gás em fluxo)
Temperatura Opcional 1150°C (com tubo de quartzo GE 214 atualizado)
Zonas de Aquecimento Dupla zona: 300 mm (12") cada; 600 mm (24") total
Zona de Temperatura Constante 300 mm no centro (±1°C) quando as zonas são definidas de forma idêntica
Taxa de Aquecimento Máx. 20°C / min
Precisão da Temperatura ±1°C
Controlador de Temperatura Dois controladores digitais PID com 30 segmentos programáveis
Termopar Tipo K duplo (Sonda aterrada de 12" x 1/4" de diâmetro)
Elemento de Aquecimento Fio de Resistência NiCrAl
Tensão de Entrada 208 - 240V CA, Monofásico
Potência Nominal 8 kW
Flanges de Vácuo Aço inoxidável de camada dupla, resfriado a água, tipo articulado
Portos de Vácuo Porta KF25, conexões de mangueira de 1/4", duas válvulas de agulha
Limite de Vácuo 10-2 torr (bomba mecânica) / 10-4 torr (bomba turbo)
Requisito de Resfriamento Fluxo de água ≥ 10L/min, Temp < 25ºC, Pressão > 25 PSI
Conformidade Certificado CE (NRTL/CSA disponível mediante solicitação)

Por Que Escolher Nós

  • Confiabilidade de Nível Industrial: Projetado com fios de resistência de alta durabilidade e isolamento fibroso avançado, este sistema foi desenvolvido para consistência operacional de longo prazo em ambientes de pesquisa exigentes.
  • Capacidade em Larga Escala: O tubo de 11 polegadas de diâmetro é uma oferta rara em fornos de escala laboratorial, fornecendo o volume necessário para processamento de wafer de 8 polegadas e grandes lotes de materiais sem exigir equipamentos de tamanho industrial.
  • Gestão Térmica de Precisão: O controle independente de dupla zona fornece a flexibilidade térmica necessária para deposição química de vapor complexa e crescimento de nanoestruturas, garantindo o mais alto nível de controle experimental.
  • Segurança e Proteção Robustas: O monitoramento secundário de temperatura integrado e os sistemas de flange resfriados a água protegem os ativos do seu laboratório e garantem a longevidade das vedações de alto vácuo.
  • Integração Abrangente: Desde a compatibilidade com o software Labview até opções personalizáveis de mistura de gás e estação de vácuo, este forno serve como uma plataforma completa e expansível para suas necessidades de processamento térmico.

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